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» 型號"BSZ086P03NS3E G"的供應信息
BSZ086P03NS3E G 全國供應商、價格、PDF資料
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深圳外
BSZ086P03NS3E G詳細規格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 105µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:57.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4785pF @ 15V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:Digi-Reel®
BSZ086P03NS3E G詳細規格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 105µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:57.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4785pF @ 15V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:剪切帶 (CT)
BSZ086P03NS3E G詳細規格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 105µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:57.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4785pF @ 15V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:帶卷 (TR)
BSZ086P03NS3E G供應商
BSZ086P03NS3E G
深圳市芯脈實業有限公司
19166203057
BSZ086P03NS3E G
深圳市芯脈實業有限公司
0755-84507209
BSZ086P03NS3E G
深圳市鵬順興科技有限公司
0755-23063133
BSZ086P03NS3E G
深圳信泰電子器材有限公司
0755-83242658
BSZ086P03NS3E GATMA1
深圳市科恒偉業電子有限公司
0755-88917652
BSZ086P03NS3E G
深圳市富樂亞科技有限公司
0755-18503085
BSZ086P03NS3E G
深圳市鑫遠鵬科技有限公司
15112667855
BSZ086P03NS3E G
深圳市捷富芯科技有限公司
13686489274
BSZ086P03NS3E G
深圳市科思奇電子科技有限公司
0755-83245050
BSZ086P03NS3E G
深圳市耿芯泰電子科技有限公司
0755-83089867
BSZ086P03NS3E G
深圳誠思涵科技有限公司
0755-83015506
BSZ086P03NS3E G
深圳市川藍電子科技有限公司
0755-82522939
BSZ086P03NS3E G
深圳市芯脈實業有限公司
19166203057
BSZ086P03NS3E G
上海傳澤電子科技有限公司
13381567868
BSZ086P03NS3E G
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82865294
BSZ086P03NS3E G
深圳市海虹微電子有限公司
0755-83291010
查看更多BSZ086P03NS3E G的供應商
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 82PF 50V 1% NP0 0805
BTS3118N
PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA IC SWITCH N-CH LOW SIDE SOT223-4
BH28RB1WGUT-E2
PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 4-WFBGA,CSPBGA IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP
BSZ086P03NS3E G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 82PF 100V 2% NP0 0805
BH29NB1WHFV-TR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor SOT-665 IC REG LDO 2.9V .15A 5HVS0F
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C0805C820G5GACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 82PF 50V 2% NP0 0805
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
BTS3160D
PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關 Infineon Technologies TO-252-6,DPak(5 引線 + 接片) IC SWITCH PWR LOSIDE TO252-5
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